Mengenal Komponen IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

Mengenal Komponen IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

GlodokHarco.Online – Pada artikel kali ini, kita akan coba mengenal komponen IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor secara lebih baik baik meliputi pengertian, cara mengukur, contoh aplikasi, cara kerja, dan simbol serta macam-macam IGBT yang umum ditemukan pada peralatan elektronik maupun mesin.

Mengenal Komponen IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
Mengenal Komponen IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

Mengenal Komponen IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

Sebelum lebih lanjut ke bagian lainnya, ada baiknya kita memahami terlebih dahulu pengertian IGBT.

Pengertian IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) adalah modul elektronik solid state tanpa mekanis atau komponen bergerak di dalamnya. IGBT sebenarnya merupakan sebuah saklar yang digunakan untuk memungkinkan aliran daya mengalir dalam keadaan gerbang terbuka dan menghentikan aliran daya saat berada di dalam keadaan tutup. IGBT bekerja dengan cara mengaplikasikan voltase ke komponen semikonduktor, sehingga mengubah sifat-sifatnya untuk memblokir atau membuat jalur listrik.

Prinsip Dan Cara Kerja IGBT

Prinsip kerja rangkaian penggerak Gate untuk IGBT mirip dengan prinsip kerja MOSFET jenis kanal N. Perbedaan utamanya terletak pada resistansi yang alirkan konduktor saat kondisi aktif sangat kecil pada IGBT. Sehingga arus lebih besar bila dibandingkan dengan MOSFET.

Jenis-Jenis Atau Macam-macam IGBT

Terdapat banyak jenis IGBT yang bisa ditemukan di pasaran. saat ini, koleksi IGBT terlengkap yang bisa kami dapatkan dapat ditemukan di GlodokHarco.Online . Saat ini secara umum IGBT terbagi atas 2 kelompok utama yaitu :

  • NPT IGBT
  • PT IGBT

Dari segi parameter lain juga dapat dikelompokkan menjadi beberapa jenis yang populer di pasaran antara lain jenis

  • Turn-On Delay Time
  • Turn Off Delay Time
  • Jenis Arus Kolektor 25C
  • Jenis Arus Kolektor 100C
  • Maximum CE current IGBT
  • um. Filter parametrik di situs kami dapat membantu menyempurnakan hasil pencarian Anda tergantung pada spesifikasi yang dipersyaratkan.

Nilai yang paling umum untuk Tegangan Maksimum CE adalah 600 V dan 1200 V. Kami juga membawa IGBT dengan Tegangan Maksimum CE setinggi 3300 V. Kolektor Saat Ini @ 100C dapat antara 3 A dan 1200 A, dengan 20 A, 30 A dan 40 Sebuah nilai yang paling umum

Cara Mengukur IGBT

Kebanyakan produsen perangkat IGBT sudah diuji sebelum pengiriman dan dijamin berfusing sesuai data parametrik yang dipublikasikan. Sangat tidak dianjurkan untuk melakukan pengujian ulang oleh pelanggan bila tidak memilliki kompetensi untuk hal tersebut karena berpotensi merusak perangkat.

Namun, jika memang diperlukan, penguji sebaiknya menilai karakteristik listrik dari IGBT dengan metoda pengujian berikut:

  1. Menggunakan Peralatan Anti Statis. Selalu gunakan prosedur penanganan aman statis (ESD) dan ganti busa pemancar gerbang konduktif setelah pengujian.  Jangan pernah mengaplikasikan konektor ke tegangan emitor dengan tegangan yang lebih besar daripada rating VCES IGBT dan jangan mengaplikasikan gerbang pada voltase emitor yang lebih besar dari pada rating VGES IGBT. Saat menggunakan pelacak kurva, naikkan voltase ke atas dan ke bawah untuk setiap tes.  Jangan sekali-kali menerapkan voltase lebih besar dari 20V ke kolektor-emitor dengan terminal gerbang terbuka. Perhatikan suhu saat IGBT diuji, biarkan penningkatan suhu berlangsung secara bertahap. Jangan biarkan IGBT meningkat secara drastis dan melebihi 10oC  per menit.
  2. Prosedur Pengujian Menggunakan Tester Digital.    Multimeter digital yang dipergunakan sebaiknya menggunakan power supply tidak lebih dari 9V. Umumnya portabel menggunakan 9 Volt, sehingga aman untuk pengukuran. Hindari alat ukur besar yang menggunakan power supply di atas 20 Volt untuk menjaga kemungkian mengalirknya arus besar ke dalam komponen.

Cara Menguji Kolektor-Emitter Junction IGBT

Keluarkan komponen dari dalam bungkusan, dan lakukan pengukuran pasif dengan menghubungkan kaki Gate ke Emitor. Posisi Multiteester digital dalam mode pengukuran dioda. Pada kondisi demikian,  kolektor ke emitor harus memberikan pembacaan dioda normal dengan positif pada emitor dan negatif pada kolektor.

Tester harus menunjukkan open atau tidak terukur dengan posisi positif pada Kolektor dan negatif pada Emitornya. IGBT yang rusak dapat diuji sebagai korslet arah positif dan negatif, terbuka di kedua arah, atau resistif di kedua arah.

Uji Gerbang Oksida dapat dilakukan dengan mengukur hubungan antara Gate ke Kolektor dan Gerbang ke Emitor. Pengukuran ini harus menunjukan tidak terukur untuk IGBT yang bagus. Perangkat yang rusak akan menunjukan hubungan dalam ohm saat pengukuran.

Aplikasi IGBT Dalam Bidang Control Elektronik

Karena IGBT adalah perangkat yang dikontrol voltase, hanya dibutuhkan voltase kecil di Gerbang untuk menjaga konduksi melalui perangkat tidak seperti BJT yang mengharuskan arus basis terus dipasok dalam jumlah yang cukup memadai untuk menjaga kejenuhan.

Juga IGBT adalah perangkat searah, yang berarti hanya dapat mengalihkan arus pada “arah ke depan”, yaitu dari Kolektor ke Emitor tidak seperti MOSFET yang memiliki kemampuan pengalihan arus bi-directional (dikendalikan ke arah depan dan tidak terkendali dalam arah sebaliknya) .

Kepala operasi dan sirkuit penggerak Gerbang untuk transistor bipolar gerbang terisolasi sangat mirip dengan MOSFET kanal N-channel. Perbedaan mendasarnya adalah bahwa hambatan yang ditawarkan oleh saluran utama saat arus mengalir melalui perangkat dalam keadaan “ON” jauh lebih kecil di IGBT. Karena ini, peringkat saat ini jauh lebih tinggi bila dibandingkan dengan MOSFET daya setara.

Keuntungan utama menggunakan Transistor Bipolar Bensin Terisolasi dari jenis perangkat transistor lainnya adalah kemampuan voltasenya yang tinggi, low ON-resistance, kemudahan berkendara, kecepatan switching yang relatif cepat dan dikombinasikan dengan zero gate drive current menjadikannya pilihan yang baik untuk kecepatan yang moderat. , aplikasi tegangan tinggi seperti modulasi lebar-lebar pulsa (PWM), kontrol kecepatan variabel, catu daya mode switch atau inverter DC-AC bertenaga surya , pemanas induksi, las frekuensi tinggi dan aplikasi pengubah frekuensi yang beroperasi di kisaran kilohertz.

Simbol IGBT

Berikut ini merupakan penulisan simbol IGBT dalam rangkaian elektronik

Mengenal Komponen IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

Semoga dengan adanya artikel ini akan membuat kita lebih mengenal komponen IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor